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半導體產業之空氣採樣，為了避免產品的電性受到影響，半導體及晶圓製造之過程均置於嚴格管控的環境，半導體工廠無塵室，氣態分子污染物 (AMC)、空氣中的揮發性有機化合物的管制及監控
產業：半導體製程、光電產業、太陽能製造、面板製造、LED製造、電子行業
氣體的使用在半導體製程中一直扮演著重要的角色，其中的製程包括如乾蝕刻、氧化、離子佈植、薄膜沉積等，皆使用到相當多的氣體，而氣體的純度則對元件性能、產品良率有著決定性的影響，氣體供應的安全性則關乎人員的健康與工廠運作的安全，更需在不同地區設置氣體監測。
半導體製程使用之特殊氣體
在半導體製程中, 從磊晶(Epitaxy), 擴散(Diffusion), 化學氣相沉積(CVP), : Sputtering 濺鍍(Sputtering ), Implant 離子植入(Implant ), 化學氣相沉積(CVP ), 氣相沉積(CVD), 乾蝕刻(DRY ETCHING), 腔體清洗(Chamber Clean), 薄膜製程(Thin Film) 都會用到許多特殊氣體
| 製程名稱 | 使用氣體 |
| 氧化(Oxidation) | SiH4 、Si2 H6 、ClF3 、PH3 、SiH2 Cl |
| 擴散(Diffusion) | AsH3 、AsCl3 、PH3 、PCl3 、POCl3 、B2 H6 、 BCl3 、BBr3 、SiCl4 、SiH2 Cl2 、NH3 |
| 磊晶(Epitaxy) | SiH4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、SiCl4 、AsH3 、AsCl3 、 PH3 、B3 H6 |
| 化學氣相沈積 (Chemical Vapor Deposition) |
SiH4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、NF3 、CF4 、CHF3 、 C2 F6 、PH3 、B2 H6 、NH3 、SiF4 、He 、Si2H6 、WF6 |
| 濺鍍(Sputtering) | NH3、He |
| 離子植入(Implant) | H3 、PF3 、PF5 、SiF4 、AsH3 、B2 H6 、BF3 、 BCl3 、SiF4、ClF3、PH3 |
| 蝕刻(Etching) | HF 、HCl 、HBr 、CF4 、CHF3 、CClF3 、PH3 、 B2 H6 、SiH4 、C3 F8 、SiF4 、SF6 、CBrF3 、C2 ClF5 、 Cl2 、PH5 、CClF2 、C2 ClF4 、CCl4 、C3 H8 、 CH4 NF3、NH3 、BF2 、BCl3、SiCl4、AsCl3 |
| 去光阻(Dephotoresist) | CF4 |
半導體氣體種類
大宗氣體 ( Bulk gas ) : AR / N2 / O2 / H2 / Ar / He / CO2
特殊氣體 (Special gas)
Inert Gas惰性氣體 : He, SF6,CO2, CF4, C2F6, C4H8及CH3F等。
Flammable Gas易燃燒氣體 : SiH4,Si2H6, B2H6, PH3, SiH2Cl2, CH3, C2H2及CO等。..
Corrosive Gas腐蝕性氣體 : Cl2,HCl, F2, HBr, WF6, NH3, BF2, BCl3, SiF4, AsH3, ClF3, N2O, SiCl4, AsCl3BF3,SbCl5等。
半導體用之特殊材料氣體皆為少見，實際上有些氣體是兼具燃燒及腐蝕性的。其中除惰性氣體外，剩下的均歸類為毒性氣體。而像SiH4,B2H6,PH3等均屬自燃性氣體(Pyrophoricity)，即在很低的濃度下，一接觸大氣後，立刻會產生燃燒的現象。
推薦型號：GAST MOA-V112-AE-TF全鐵氟龍膈膜真空幫浦
可耐腐蝕氣體及溶劑真空幫浦，適用於半導體特殊氣體採樣、無塵室空氣採樣設備用
最大真空 24 inHg 最大流量 0.49 cfm
無油操作，確保排放空氣不受潤滑劑污染，由於低噪音和低振動運行，它非常適用於對噪音敏感的環境，該裝置所需的功耗極低。
另一款手提式空氣採樣真空幫浦，鍍鐵氟龍材質 DAA-V717-GB
小型膈膜式弱防腐 10D 直流空氣採樣幫浦
Brushless DC 12V/24V，Max Flow 4.3 LPM，Max Pressure 17 psi，Max Vacuum 17inHg，弱防腐(EPDM閥門和膈膜)
小型膈膜式弱防腐/強防腐 15D系列 空氣採樣幫浦
AC 220 V Max Flow: 5.5 LPM，Max Pressure: 25 psi，Max Vacuum: 20 inHg，弱防腐 耐臭氧/耐熱/耐溶劑，強防腐 耐高低溫/強酸鹼/有機溶劑
產品特點：
耐用和長壽命 – 連桿與軸承粘合，不像輕型幫浦那樣被夾緊。該裝置在涼爽的工作溫度下運行，並具有超大尺寸的免維護軸承和耐腐蝕材料，這些都延長了使用壽命。
易於維護 – 空氣過濾器、膈膜和閥門易於更換，從而延長了產品的使用壽命並最大限度地延長了正常運行時間。
全鐵氟龍幫浦可應用於氣體採樣，專門設計用來輸送高強度有機溶劑、強酸鹼性氣體、化學腐蝕性氣體及蒸汽可耐強酸鹼氣。可外加真空錶、真空調節閥、過濾器、手把
材質組成：
幫浦頭 PTFE 全鐵氟龍、閥板 PTFE 全鐵氟龍、膈膜壓板 316不鏽鋼+CC
半導體製程環境控管
半導體生產製程包含精密的微機電和積體電路，對於生產環境之潔淨度的要求特別嚴格，因此整個製造過程都必須在嚴格控制的環境條件下進行，製程中這些空氣傳播的分子化合物不僅會引起工作人員的健康擔憂，在密閉空間中積累，還會造成晶圓 (wafer) 或器材設備腐蝕。隨著關鍵尺寸的縮小，潔淨室環境空氣品質的要求也更為嚴苛。
VOC 監測運用，無塵室 VOC 分析從環境監測、晶圓傳送盒（FOUP）避免晶圓片於半導體製程設備或輸送系統中儲放時遭受微小塵粒之污染、確保於各階段製程中提供完善的保護，潔淨度確認到設備機台內的汙染管控
1.全廠環境氣體監測
監控廠區內主要氣體的潔淨度，確保主氣體不受汙染，影響產品良率，對製程環境做定點及定時之檢測，無塵室環境之可能VOC污染源，包括了無塵室外之汙染氣體、製程反應逸散、設備材料本身揮發產生及設備維護過程氣體揮發等。
2.濾材效能檢測更換
長期、連續的監測空氣品質，當製程環境濾材之選用及更換時，可依檢測值評估化學濾網效能做參考依據，不致因 過當之更換造成浪費，取得成本與效益間的最佳平衡點。
3.製程中晶圓傳送盒潔淨度檢測
晶圓傳送盒清潔系統、製程中設置監測點。於晶圓製程中，有效確認晶圓搬運盒的潔淨度，可避免晶圓受到搬運盒釋氣汙染，以確保產品良率。此外，此項監測資料亦可作為業主審核評估晶圓搬運盒之汰換時機點。
4.製程污染鑑定
於現地單點或搭配多點採樣系統，對製程中之設備進行內外VOC濃度值監測，並透過網路將監測結果回傳至中控端，幫助業主了解掌握汙染狀況，即時應對，減少汙染可能造成的良率下降。
產品其它應用：
半導體產業/光電產業氣體監測、晶圓濕度檢測、環境空氣監測-移動源(候車亭空氣品質監測、車輛排放)、環境空氣監測-固定源 (移動實驗室、空品軍、固定式採樣機櫃)、室內空氣品質(IAQ)連續監測系統、實驗室氣體分析、實驗室揮發性有機化合物分析、高潔淨度無塵室內空氣樣品採樣分析
